Flash梯子加速器

处理方法

粒子运动
能    量

工作方式

等离子体

高真空

薄膜
沉积
（表
面厚
度增
加）

PVD

真空蒸发镀膜

0.1~1ev

等离子熔炼辉光放电分解

电阻加热蒸发
加子束蒸发
真空电弧蒸
真空感应蒸发
真空感应蒸发
分子束外延

真空溅射镀膜

10~
100ev

放电方式：直流、交流、高频。
电极数止：2级、3级、4级。
反应溅射：磁控溅射、对向靶溅射。

离子束溅射镀膜

真空离子镀膜

数10~
500ev

直流二级型
多阴极型
ARE型、增强ARE
HCD型
高频型

单-离子束镀膜
集团离子束镀膜

CVD

化学反应
热扩散

等离子增强化学气相沉积（PCVD）

低压等离子化学气相沉积（LPCVD）

微细
加工
（表
面厚
减少 ）

离子刻蚀

数百ev~
数kev

高频溅射刻蚀、等离子刻蚀、反应离子刻蚀。

离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、电子束刻蚀、X射线曝光。

表面
改性
（不改变表
面厚度）

离子注入

数kev~
1000kev

活性离子冲击离子氮化

离子注入